۳۲,۰۰۰,۰۰۰ تومان
توضیحات
نقد و بررسی اجمالی
درایورهای سری Intel SSD DC P4510 از فاکتور فرم U.2 2/5 X X 15 MM استفاده می کنند و در ظرفیت های مختلف از ۱TB تا ۸ ترابایت ارائه می شود.
در هسته این درایوها همان کنترلر داخلی Intel است که از درایوهای سری SSD DC P4500 موجود استفاده می شود، اما به صورت جدیدتر، ۶۴ لیه TLC 3D NAND و سیستم در حالی که طول عمر و QoS را نیز بهبود می بخشد.
جابجایی به حافظه های جدیدی فلش ۶۴ لایه ۳ بعدی TLC NAND در این درایو ها نه تنها به اینتل اجازه می دهد ظرفیت های بالانری را ارائه دهد تا در نهایت حداکثر تراکم ذخیره سازی در هر سرور را بهبود بخشد، بلکه باعث کاهش مصرف برق نیز می شود.
قدرت اوج زیر بار ۱۶ وات با این درایوها است.
ساختار
در داخل شاسی یک جفت برد الکترونیکی PCB وجود داردکه با یک روبان محکم به هم وصل شده اند.
یک PCB کنترلر ، مقداری DRAM، فلش و خازنهای را در خود جای داده است که مقداری از محافظت در برابر اتلاف انرژی را ارائه می دهند و دیگر PCB مملو از حافظه های فلش اضافی با مقادیر مختلف بسته به ظرفیت درایو است.
IOPS های خواند / نوشتن تصادفی ۴K نیز در رتبه بندی های ۱۳۹K/ 637K نسبتا بالا هستند.
همانطور که مشاهده کردید، NAND امروز می تواند یاک حافظه پنهان باشد اما به سمت یک ظرفیت حرکت می کند.
این درایو ها هستندکه با تمرکز روی ذخیره مقدار زیادی از داده ها با هزینه کم ساخته شده اند.
U2 15mm، کارتهای افزودنی و EDSFF برای این ظرفیت. واضح اس، پیام اینجاست که با اضافه کردن بسته های بیشتر NAND در PCB بزرگتر، اینتل می تواند مقدار ظرفیت درایو و کنترلر را برای کاهش هزینه ها به حداکثر برساند.
این مدل اس اس دی اینتل در اصل دارای سه لایه SVS NVMe است و از نظر عملکرد، سطح پایین را اشغال می کند. این درایوها ظرفیت بالاتر و هزینه کمتری دارند.
در هسته این درایوها همان کنترلر داخلی Intel است که از درایوهای سری SSD DC P4500 موجود استفاده می شود، اما به صورت جدیدتر، ۶۴ لیه TLC 3D NAND و سیستم در حالی که طول عمر و QoS را نیز بهبود می بخشد.
جابجایی به حافظه های جدیدی فلش ۶۴ لایه ۳ بعدی TLC NAND در این درایو ها نه تنها به اینتل اجازه می دهد ظرفیت های بالانری را ارائه دهد تا در نهایت حداکثر تراکم ذخیره سازی در هر سرور را بهبود بخشد، بلکه باعث کاهش مصرف برق نیز می شود.
قدرت اوج زیر بار ۱۶ وات با این درایوها است.
ساختار
در داخل شاسی یک جفت برد الکترونیکی PCB وجود داردکه با یک روبان محکم به هم وصل شده اند.
یک PCB کنترلر ، مقداری DRAM، فلش و خازنهای را در خود جای داده است که مقداری از محافظت در برابر اتلاف انرژی را ارائه می دهند و دیگر PCB مملو از حافظه های فلش اضافی با مقادیر مختلف بسته به ظرفیت درایو است.
IOPS های خواند / نوشتن تصادفی ۴K نیز در رتبه بندی های ۱۳۹K/ 637K نسبتا بالا هستند.
همانطور که مشاهده کردید، NAND امروز می تواند یاک حافظه پنهان باشد اما به سمت یک ظرفیت حرکت می کند.
این درایو ها هستندکه با تمرکز روی ذخیره مقدار زیادی از داده ها با هزینه کم ساخته شده اند.
U2 15mm، کارتهای افزودنی و EDSFF برای این ظرفیت. واضح اس، پیام اینجاست که با اضافه کردن بسته های بیشتر NAND در PCB بزرگتر، اینتل می تواند مقدار ظرفیت درایو و کنترلر را برای کاهش هزینه ها به حداکثر برساند.
این مدل اس اس دی اینتل در اصل دارای سه لایه SVS NVMe است و از نظر عملکرد، سطح پایین را اشغال می کند. این درایوها ظرفیت بالاتر و هزینه کمتری دارند.
مشخصات کالا
مشخصات
- ظرفیتمحصولات بخش فروشگاه
-
شارژر همراه ایکس او مدل PR110 ظرفیت ۱۰۰۰۰ میلی آمپر ساعت
خرید محصول -
کتاب شفقت خود مقتدرانه اثر کریستین نف انتشارات بینش نو
۲۵۹,۷۴۰ تومان افزودن به سبد خرید -
تابلو نقاشی آبرنگ طرح باغ گلهای بنفشه
۴۶۹,۰۰۰ تومان خرید محصول -
دنده هندل موتورسیکلت مدل YB100 مناسب برای یاماها ۱۰۰
۱۸۰,۰۰۰ تومان افزودن به سبد خرید -
فیش تغذیه آداپتور مدل eshel بسته ۱۰عددی
۲۳,۰۰۰ تومان خرید محصول -
تونر قرمز سین سین مدل ۲۰۱A
۳۷۶,۰۰۰ تومان خرید محصول -
کابل تبدیل USB به microUSB مدل SP124 طول ۰.۲۲ متر
۱۷,۰۰۰ تومان خرید محصول -
کاور طرح چتر مدل AM-22 مناسب برای گوشی موبایل سامسونگ Galaxy j7 prime
۶۶,۰۰۰ تومان خرید محصول
دو ترابایت
-